Fagor Elektronikan, erdieroaleen arloko berrikuntzarekiko dugun konpromisoak aurrera egiten jarraitzen du. Silizio Karburoaren (SiC) teknologiaren garapena bultzatzen jarraitzen dugu.

Teknologia hori funtsezkoa da hurrengo belaunaldiko potentzia-gailuetarako, eraginkortasun handiagoa, potentzia-dentsitate handiagoa eta errendimendu termiko hobea behar baitituzte. Gaur, SiC kapsulatze-formatu berrien aurkezpena iragartzen dugu, elektrifikazioa, energia berriztagarriak, potentzia industrialaren bihurketa eta e-mugikortasuna bezalako aplikazioen gero eta behar handiagoei erantzuteko diseinatuak. Silizio Karburoaren teknologiari esker, ohiko silizioarekin alderatuta tentsio handiagoetan, tenperatura altuagoetan eta kommutazio-maiztasun handiagoetan lan egin daiteke. Horri esker, sistema eraginkorragoak, trinkoagoak eta jasangarriagoak garatu daitezke.